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参数资料
| 型号： | AO4406 |
| 厂商： | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 30 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | GREEN, SOIC-8 |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 98K |
| 代理商： | AO4406 |
Symbol
VDS
VGS
IDM
IAV
EAV
TJ, TSTG
Symbol
Typ
Max
23
40
48
65
RθJL
12
16
mJ
W
Junction and Storage Temperature Range
A
PD
°C
3
2.1
-55 to 150
TA=70°C
ID
Continuous Drain
Current
AF
Maximum
Units
Parameter
TA=25°C
TA=70°C
30
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Steady-State
11.5
9.6
80
Avalanche Current
B
25
Repetitive Avalanche Energy
B L=0.3mH
94
°C/W
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted
V
±12
Pulsed Drain Current
B
Power Dissipation
TA=25°C
Gate-Source Voltage
Drain-Source Voltage
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
°C/W
Thermal Characteristics
Parameter
Units
Maximum Junction-to-Ambient
AF
t ≤ 10s
RθJA
°C/W
AO4406
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
VDS (V) = 30V
ID = 11.5A (VGS = 10V)
RDS(ON) < 14m (VGS = 10V)
RDS(ON) < 16.5m (VGS = 4.5V)
RDS(ON) < 26m (VGS = 2.5V)
UIS TESTED!
Rg,Ciss,Coss,Crss Tested
General Description
The AO4406/L uses advanced trench technology to
provide excellent RDS(ON), low gate charge and
operation with gate voltages as low as 2.5V. This
device makes an excellent high side switch for
notebook CPU core DC-DC conversion. AO4406 and
AO4406L are electrically identical.
-RoHS Compliant
-AO4406L is Halogen Free
SOIC-8
G
S
D
G
D
S
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AO4406L | 30 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AO4407A | 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| AO4409 | 15000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| AO4411 | 8000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| AO4413 | 15000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AO4406A | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| AO4406AL | 制造商:AOS 功能描述:MOSFET |
| AO4407 | 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述: |
| AO4407_10 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V P-Channel MOSFET |
| AO4407A | 功能描述:MOSFET P-CH -30V -12A 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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