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参数资料
| 型号： | AO4411 |
| 厂商： | ALPHA |
| 元件分类： | MOSFETs |
| 英文描述： | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 的P -沟道增强型场效应晶体管 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 118K |
| 代理商： | AO4411 |
AO4411
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0
5
10
15
20
25
30
0
1
2
3
4
5
-V
DS
(Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
-
D
V
GS
=-3V
-6V
-3.5V
-4V
-10V
0
5
10
15
20
25
30
0
0.5
1
1.5
2
-V
GS
(Volts)
2.5
3
3.5
4
4.5
5
Figure 2: Transfer Characteristics
-
D
(
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
0
5
10
15
20
25
-I
D
(A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
R
D
)
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-V
SD
(Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
-
S
25°C
125°C
0.80
1.00
1.20
1.40
1.60
0
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
N
V
GS
=-10V
V
GS
=-4.5V
0
10
20
30
40
50
60
70
80
3
4
5
6
8
9
10
-V
GS
(Vol7
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
R
D
)
25°C
125°C
V
DS
=-5V
V
GS
=-4.5V
V
GS
=-10V
I
D
=-7.5A
25°C
125°C
I
D
=-7.5A
-4.5V
-5V
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AO4411L | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4412 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4412L | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4413A | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4413AL | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AO4411_11 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V P-Channel MOSFET |
| AO4411L | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4412 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4412L | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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