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参数资料
| 型号： | AO4466 |
| 厂商： | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 30 V, 0.023 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | GREEN, SOIC-8 |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 190K |
| 代理商： | AO4466 |
Symbol
VDS
VGS
IDM
IAR
EAR
TJ, TSTG
Symbol
Typ
Max
34
40
62
75
RθJL
18
24
A
Repetitive avalanche energy 0.1mH
B, G
16
mJ
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
°C/W
Thermal Characteristics
Parameter
Units
Maximum Junction-to-Ambient
A
t
≤ 10s
RθJA
°C/W
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted
V
±20
Pulsed Drain Current
B
Power Dissipation
TA=25°C
Gate-Source Voltage
Drain-Source Voltage
Maximum Junction-to-Ambient
A
Steady-State
9.4
7.7
50
Avalanche Current
B, G
18
Continuous Drain
Current
AF
Maximum
Units
Parameter
TA=25°C
TA=70°C
30
W
Junction and Storage Temperature Range
A
PD
°C
3.1
2.1
-55 to 150
TA=70°C
ID
AO4466
30V N-Channel MOSFET
Product Summary
VDS (V) = 30V
ID = 9.4A
(VGS = 10V)
RDS(ON) < 23m
(VGS = 10V)
RDS(ON) < 35m
(VGS = 4.5V)
100% UIS Tested
100% Rg Tested
General Description
The AO4466 uses advanced trench technology to
provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This
device is suitable for use as a load switch or in PWM
applications. The source leads are separated to allow
a Kelvin connection to the source, which may be
used to bypass the source inductance.
SOIC-8
Top View
Bottom View
D
S
G
D
S
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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