- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录375332 > AO4619 (ALPHA) Diode; Antenna switching; VR (V): 60; IF (mA): 50; Pd (mW): 150; rf (ohm) max: 1.8; Condition IF at rf (mA): 10; Condition f at rf (MHz): 100; VF (V) max: 0.9; Condition IF at VF (mA): 2; C (pF) max: 0.45; Condition VR at C (V): 1; Condition f at C (MHz): 1; Package: SFP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | AO4619 |
| 厂商： | ALPHA |
| 英文描述： | Diode; Antenna switching; VR (V): 60; IF (mA): 50; Pd (mW): 150; rf (ohm) max: 1.8; Condition IF at rf (mA): 10; Condition f at rf (MHz): 100; VF (V) max: 0.9; Condition IF at VF (mA): 2; C (pF) max: 0.45; Condition VR at C (V): 1; Condition f at C (MHz): 1; Package: SFP |
| 中文描述： | 增强模式互补场效应晶体管 |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 155K |
| 代理商： | AO4619 |
AO4619
N-CHANNEL TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTIC
S
THR
COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT 1.0E-03
OUT O20
FUNCTIONS AND RELIABILITY WITH25°C
10
2
4
6
8
10
0
10
20
30
40
50
60
0
1
2
3
4
5
V
DS
(Volts)
Figure 1: On-Region Characteristics
I
D
V
GS
=3.5V
4.5V
6V
10V
0
4
8
12
16
20
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
V
GS
(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
I
D
(
10
15
20
25
30
35
40
0
5
10
15
20
I
D
(A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
R
D
)
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
(Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
I
S
125°C
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150 175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
N
V
GS
=10V
Id=7.4A
V
GS
=4.5V
Id=6A
40
50
60
V
GS
(Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source
Voltage
D
)
25°C
125°C
V
DS
=5V
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
I
D
=7.4A
125°C
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
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PDF描述 |
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