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参数资料
| 型号： | AO4714 |
| 厂商： | ALPHA |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | N沟道增强型场效应管 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 141K |
| 代理商： | AO4714 |
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
I
AR
E
AR
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
31
59
16
Max
41
75
24
R
θ
JL
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
°C/W
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
°C/W
°C/W
t
≤
10s
Steady-State
R
θ
JA
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Parameter
V
V
±20
20
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
Current
F
Drain-Source Voltage
30
I
DSM
Power Dissipation
F
Avalanche Current
B
Repetitive avalanche energy L=0.3mH
B
T
A
=25°C
T
A
=70°C
P
DSM
Junction and Storage Temperature Range
30
135
A
Maximum
Units
Pulsed Drain Current
B
100
3.0
2.0
A
16
W
A
mJ
°C
-55 to 150
AO4714
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
SRFET
TM
Features
V
DS
(V) = 30V
I
D
=20A (V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 4.
7
m
(V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 6.
7
m
(V
GS
= 4.5V)
UIS TESTED!
Rg,Ciss,Coss,Crss Tested
General Description
SRFET
TM
AO4714 uses advanced trench technology
with a monolithically integrated Schottky diode to
provide excellent R
DS(ON)
,and low gate charge. This
device is suitable for use as a low side FET in SMPS,
load switching and general purpose applications.
S
tandard Product AO4714 is Pb-free (meets ROHS &
Sony 259 specifications).
D
S
G
G
S
S
S
D
D
D
D
SRFET
TM
S
oft
R
ecovery
MOS
FET
:
Integrated Schottky Diode
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AO4720 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4800A | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4800AL | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4800B | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4800BL | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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