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参数资料
| 型号： | AO4720 |
| 厂商： | ALPHA |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | N沟道增强型场效应管 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 135K |
| 代理商： | AO4720 |
10 Sec
Steady State
30
V
DS
V
GS
13
10.5
10
7.8
I
DM
I
AR
E
AR
3.1
2.0
1.7
1.1
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
32
60
17
Max
40
75
24
t
≤
10s
Steady-State
Steady-State
R
θ
JL
Units
V
V
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
Current
AF
Pulsed Drain Current
B
I
DSM
±20
Parameter
Symbol
Max
T
A
=25°C
T
A
=70°C
°C
-55 to 150
A
W
A
A
120
21
mJ
66
Avalanche Current
C
Repetitive avalanche energy L=0.3mH
C
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Drain-Source Voltage
Power Dissipation
Junction and Storage Temperature Range
T
A
=25°C
T
A
=70°C
P
DSM
°C/W
Thermal Characteristics
Units
°C/W
°C/W
R
θ
JA
Maximum Junction-to-Lead
C
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
AO4720
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
SRFET
TM
Features
V
DS
(V) = 30V
I
D
=13A (V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 11m
(V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 17.5m
(V
GS
= 4.5V)
UIS TESTED!
Rg,Ciss,Coss,Crss Tested
General Description
SRFET
TM
The AO4720 uses advanced trench
technology with a monolithically integrated Schottky
diode to provide excellent R
DS(ON)
,and low gate
charge. This device is suitable for use as a low side
FET in SMPS, load switching and general purpose
applications.
Standard Product AO4720 is Pb-free (meets ROHS
& Sony 259 specifications).
D
S
G
G
S
S
S
D
D
D
D
SRFET
TM
S
oft
R
ecovery MOS
FET
:
Integrated Schottky Diode
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AO4800A | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4800AL | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4800B | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4800BL | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4801A | Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AO4720_10 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V N-Channel MOSFET |
| AO4722 | 功能描述:MOSF N CH 30V 8.5A SRFET SOIC 8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SRFET™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| AO4724 | 功能描述:MOSFET 30V 7.7A SOIC 8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SRFET™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| AO4724_10 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V N-Channel MOSFET |
| AO4726 | 功能描述:MOS N CH 30V 20A SOIC 8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SRFET™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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