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参数资料
| 型号： | AO4801A |
| 厂商： | ALPHA |
| 英文描述： | Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 双P沟道增强型场效应晶体管 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 135K |
| 代理商： | AO4801A |
Symbol
V
DS
V
GS
10 Sec
Steady State
5.6
4.5
4.2
3.4
I
DM
I
AR
E
AR
2.0
1.3
1.1
0.7
T
J
, T
STG
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Symbol
Typ
48
74
35
Max
62.5
110
40
t
≤
10s
Steady-State
Steady-State
R
θ
JL
V
A
W
R
θ
JA
mJ
°C
11
18
°C/W
°C/W
°C/W
-55 to 150
Maximum Junction-to-Lead
C
Thermal Characteristics
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
Current
AF
Pulsed Drain Current
B
-30
±12
-30
Drain-Source Voltage
T
A
=70°C
T
A
=25°C
I
DSM
Parameter
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Units
Avalanche Current
B
Repetitive avalanche energy L=0.3mH
B
Units
Power Dissipation
Junction and Storage Temperature Range
T
A
=25°C
T
A
=70°C
P
DSM
AO4801A
Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
V
DS
(V) = -30V
I
D
=-5.6A (V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 42m
(V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 52m
(V
GS
= 4.5V)
R
DS(ON)
< 75m
(V
GS
= 2.5V)
UIS TESTED!
Rg,Ciss,Coss,Crss Tested
General Description
The AO4801A uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
with low gate charge. This
device is suitable for use as a load switch or in PWM
applications. Standard Product AO4801A is Pb-free
(meets ROHS & Sony 259 specifications)
G1
S1
G2
S2
D1
D1
D2
D2
1
2
3
4
8
7
6
5
SOIC-8
Top View
G1
D1
S1
G2
D2
S2
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AO4801 | Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4801L | Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4802 | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4802L | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4803 | Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AO4801A_11 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V P-Channel MOSFET |
| AO4801AL | 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:过期 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:48 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:9nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:780pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 |
| AO4801AL_001 | 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:过期 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:48 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:9nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:780pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 |
| AO4801AS | 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 零件状态:过期 标准包装:1 |
| AO4801HL | 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 零件状态:过期 标准包装:1 |
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