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参数资料
| 型号： | AO4801A |
| 厂商： | ALPHA |
| 英文描述： | Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 双P沟道增强型场效应晶体管 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 135K |
| 代理商： | AO4801A |
AO4801A
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0
5
10
15
20
25
30
0
1
2
3
4
5
-V
DS
(Volts)
Figure 1: On-Region Characteristics
-
D
V
GS
=-2V
-3V
-4.5V
-10V
-2.5V
0
2
4
6
8
10
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
-V
GS
(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
-
D
(
10
30
50
70
90
0
2
4
6
8
10
-I
D
(A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
R
D
)
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-V
SD
(Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
-
S
25°C
125°C
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
N
V
GS
=-2.5V
I
D
=-5.6A, V
GS
=-10V
I
D
=-3.5A, V
GS
=-4.5V
20
40
60
80
100
3
4
5
6
7
8
9
10
-V
GS
(Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
R
D
)
25°C
125°C
V
DS
=-5V
V
GS
=-2.5V
V
GS
=-4.5V
V
GS
=-10V
I
D
=-5.6A
25°C
125°C
I
D
=-2.5A
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AO4801 | Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4801L | Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4802 | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4802L | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4803 | Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AO4801A_11 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V P-Channel MOSFET |
| AO4801AL | 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:过期 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:48 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:9nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:780pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 |
| AO4801AL_001 | 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:过期 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:48 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:9nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:780pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 |
| AO4801AS | 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 零件状态:过期 标准包装:1 |
| AO4801HL | 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 零件状态:过期 标准包装:1 |
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