参数资料
型号: AO4801A
厂商: ALPHA
英文描述: Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述: 双P沟道增强型场效应晶体管
文件页数: 4/4页
文件大小: 135K
代理商: AO4801A
AO4801A
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0.1
1.0
10.0
100.0
0.1
1
10
100
V
DS
(Volts)
I
D
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (NoteE)
10ms
0.1s
1ms
R
DS(ON)
limited
T
J(Max)
=150°C
T
C
=25°C
100
μ
s
10s
DC
1s
0
1
2
3
4
5
0
3
6
9
12
-Q
g
(nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
-
G
0
400
800
1200
1600
0
5
10
15
20
25
30
-V
DS
(Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
C
Ciss
0
0.0001 0.001
10
20
30
40
50
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Ambient (Note E)
P
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Z
θ
J
T
Coss
Crss
V
DS
=-15V
I
D
=-5.6A
Single Pulse
D=T
on
/T
T
J,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θ
JA
.R
θ
JA
R
θ
JA
=110°C/W
T
on
T
P
D
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
T
J(Max)
=150°C
T
A
=25°C
10
μ
s
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
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PDF描述
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AO4801A_11 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V P-Channel MOSFET
AO4801AL 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:2 个 P 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):48 毫欧 @ 5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):9nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):780pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1
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