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参数资料
| 型号： | AO4720 |
| 厂商： | ALPHA |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | N沟道增强型场效应管 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 135K |
| 代理商： | AO4720 |
AO4720
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
DYNAMIC PARAMETERS
0
20
40
60
80
100
120
0
1
2
3
4
5
V
DS
(Volts)
I
D
10V
4.5V
V
GS
=3.5V
6V
4V
5V
7V
0
5
10
15
20
25
30
1
2
3
4
5
V
GS
(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
I
D
(
6
8
10
12
14
16
18
0
5
10
15
20
25
30
I
D
(A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage
R
D
)
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
1.0E+02
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
(Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
I
S
25°C
125°C
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
0
30
60
90
120
150
180
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
N
I
D
=13A
V
GS
=10V
V
GS
=4.5V
I
D
=11A
5
10
15
20
25
30
2
4
6
8
10
V
GS
(Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
R
D
)
25°C
125°
V
DS
=5V
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
I
D
=13A
25°C
125°C
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
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