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参数资料
| 型号： | AO4805 |
| 厂商： | ALPHA |
| 英文描述： | Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 双P沟道增强型场效应晶体管 |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 317K |
| 代理商： | AO4805 |
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
50
73
31
Max
62.5
110
40
R
θ
JL
W
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
°C/W
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
°C/W
°C/W
t
≤
10s
Steady-State
R
θ
JA
±25
-8
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
Current
A
Pulsed Drain Current
B
Drain-Source Voltage
-30
Maximum
Units
V
V
Parameter
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
-6.9
-40
2
1.44
Power Dissipation
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Junction and Storage Temperature Range
A
P
D
°C
-55 to 150
I
D
AO4805
Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
June 2002
Features
V
DS
(V) = -30V
I
D
= -8A
R
DS(ON)
< 18m
(V
GS
= -20V)
R
DS(ON)
< 19m
(V
GS
= -10V)
General Description
The AO4805 uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
, and ultra-low low gate
charge with a 25V gate rating. This device is suitable
for use as a load switch or in PWM applications.
G1
S1
G2
S2
D1
D1
D2
D2
1
2
3
4
8
7
6
5
G1
D1
S1
SOIC-8
G2
D2
S2
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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