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参数资料
| 型号： | AO4805 |
| 厂商： | ALPHA |
| 英文描述： | Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 双P沟道增强型场效应晶体管 |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 317K |
| 代理商： | AO4805 |
θ
E
h
L
θ
aaa
b
c
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E1
e
A
A1
A2
SYMBOLS
0.050 BSC
0.50
1.27
0.10
8°
0.10
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4.00
6.20
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0°
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0.050
0.004
8°
0.010
0.197
0.157
0.061
0.004
0.020
DIMENSIONS IN INCHES
MIN
NOM
DIMENSIONS IN MILLIMETERS
MIN
NOM
MAX
MAX
SO-8 Package Data
NOTE:
1. LEAD FINISH: 150 MICROINCHES ( 3.8 um) MIN.
THICKNESS OF Tin/Lead (SOLDER) PLATED ON LEAD
2. TOLERANCE ±0.10 mm (4 mil) UNLESS OTHERWISE
SPECIFIED
3. COPLANARITY : 0.10 mm
4. DIMENSION L IS MEASURED IN GAGE PLANE
RECOMMENDED LAND PATTERN
PACKAGE MARKING DESCRIPTION
NOTE:
LOGO - AOS LOGO
4805 - PART NUMBER CODE.
F - FAB LOCATION
A - ASSEMBLY LOCATION
Y - YEAR CODE
W - WEEK CODE.
L N - ASSEMBLY LOT CODE
SO-8 PART NO. CODE
UNIT: mm
ALPHA & OMEGA
SEMICONDUCTOR, INC.
Rev. A
AO4805
PART NO.
CODE
4805
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| AO4806 | 功能描述:MOSFET DUAL N-CH 20V 9.4A 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| AO4806_11 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:20V Dual N-Channel MOSFET |
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