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参数资料
| 型号： | AO4822 |
| 厂商： | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 8000 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | GREEN, SOIC-8 |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 299K |
| 代理商： | AO4822 |
AO4822
30V Dual N-channel MOSFET
General Description
Product Summary
VDS
ID (at VGS=10V)
8A
RDS(ON) (at VGS=10V)
<19m
RDS(ON) (at VGS = 4.5V)
< 26m
ESD Protected
100% UIS Tested
100% Rg Tested
Symbol
VDS
VGS
V
±20
Gate-Source Voltage
Drain-Source Voltage
30
The AO4822 uses advanced trench technology to provide
excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is
suitable for use as a load switch or in PWM applications.
V
Maximum
Units
Parameter
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted
30V
SOIC-8
Top View
Bottom View
G
D
S
G
D
S
G1
S1
G2
S2
D1
D2
2
4
5
1
3
8
6
7
Top View
Pin1
VGS
IDM
IAS, IAR
EAS, EAR
TJ, TSTG
Symbol
t ≤ 10s
Steady-State
RθJL
1.3
TA=70°C
Junction and Storage Temperature Range
-55 to 150
°C
Thermal Characteristics
W
2
Units
Parameter
Typ
Max
°C/W
RθJA
48
74
62.5
Maximum Junction-to-Ambient
A
V
±20
Gate-Source Voltage
mJ
Avalanche Current
C
18
A
19
A
ID
8
6.5
48
TA=25°C
TA=70°C
Power Dissipation
B
PD
Avalanche energy L=0.1mH
C
Pulsed Drain Current
C
Continuous Drain
Current
TA=25°C
Maximum Junction-to-Lead
°C/W
Maximum Junction-to-Ambient
A D
32
90
40
SOIC-8
Top View
Bottom View
G
D
S
G
D
S
G1
S1
G2
S2
D1
D2
2
4
5
1
3
8
6
7
Top View
Pin1
Rev 5 : Mar 2011
www.aosmd.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AO4932 | 8000 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| AO6402A | 30 V, 0.027 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AO6402AL | 30 V, 0.027 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AOD452 | 55 A, 25 V, 0.0085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| AOD480 | 25 A, 30 V, 0.023 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AO4822_101 | 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:888pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 |
| AO4822_11 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V Dual N-channel MOSFET |
| AO4822A | 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| AO4822A_10 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V Dual N-channel MOSFET |
| AO4822AL | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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