| 型号: | AOD480 |
| 厂商: | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分类: | JFETs |
| 英文描述: | 25 A, 30 V, 0.023 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封装: | GREEN, DPAK-3 |
| 文件页数: | 1/6页 |
| 文件大小: | 123K |
| 代理商: | AOD480 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AOI4184 | 50 A, 40 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| AOD4184 | 50 A, 40 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| AOL1413 | 38 A, 30 V, 0.036 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AOL1414 | 85 A, 30 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AOL1712 | 65 A, 30 V, 0.0055 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AOD480_12 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V N-Channel MOSFET |
| AOD482 | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 32A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| AOD484 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 25A TO-252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| AOD484_09 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V N-Channel MOSFET |
| AOD486A | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 50A TO-252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |