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参数资料
| 型号： | AOL1426 |
| 厂商： | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 46 A, 30 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | GREEN, ULTRASO-8, 3 PIN |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 231K |
| 代理商： | AOL1426 |
AOL1426
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0
20
40
60
0.00001
0.0001
0.001
0.01
Time in avalanche, tA (s)
Figure 12: Single Pulse Avalanche capability
I D
(A
),
P
e
a
k
A
v
a
la
n
c
h
e
C
u
rr
e
n
t
0
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25
50
75
100
125
150
175
TCASE (°C)
Figure 13: Power De-rating (Note B)
P
o
w
e
r
D
is
s
ip
a
ti
o
n
(W
)
TA=25°C
0
20
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60
0
25
50
75
100
125
150
175
TCASE (°C)
Figure 14: Current De-rating (Note B)
C
u
rr
e
n
t
ra
ti
n
g
I D
(A
)
0
20
40
60
80
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120
140
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 15: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Ambient (Note G)
P
o
w
e
r
(W
)
0.001
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 16: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note G)
Z
θθθθ
J
A
N
o
rm
a
li
z
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d
T
ra
n
s
ie
n
t
T
h
e
rm
a
l
R
e
s
is
ta
n
c
e
D=Ton/T
TJ,PK=TA+PDM.ZθJA.RθJA
RθJA=64°C/W
Ton
T
PD
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
Single Pulse
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AON6704 | 85 A, 30 V, 0.0034 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AON6718 | 80 A, 30 V, 0.005 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AP01N40J | 0.5 A, 400 V, 16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| AP02N40J | 1.6 A, 400 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| AP02N40H | 1.6 A, 400 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AOL1426_08 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOL1426L | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| AOL1428A | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 12.4A 8SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| AOL1432 | 功能描述:MOSFET N-CH 25V 44A ULTRA SO-8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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