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参数资料
| 型号： | AON6704 |
| 厂商： | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 85 A, 30 V, 0.0034 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | 6 X 5 MM, GREEN, DFN-8 |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 266K |
| 代理商： | AON6704 |
AON6704
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
17
5
2
10
0
18
40
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
80
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
V
G
S
(V
o
lt
s
)
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
0
5
10
15
20
25
30
VDS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
C
a
p
a
c
it
a
n
c
e
(p
F
)
Ciss
0
40
80
120
160
200
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Case (Note F)
P
o
w
e
r
(W
)
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note F)
Z
θθθθJ
C
N
o
rm
a
li
z
e
d
T
ra
n
s
ie
n
t
T
h
e
rm
a
l
R
e
s
is
ta
n
c
e
Coss
Crss
VDS=15V
ID=20A
Single Pulse
D=Ton/T
TJ,PK=TC+PDM.ZθJC.RθJC
Ton
T
PD
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
TJ(Max)=150°C
TC=25°C
10
s
0.0
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
0.01
0.1
1
10
100
VDS (Volts)
I D
(A
m
p
s
)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note F)
10
s
10ms
1ms
DC
RDS(ON)
limited
TJ(Max)=150°C
TC=25°C
100
s
RθJC=1.5°C/W
Rev 3: March 2011
www.aosmd.com
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PDF描述 |
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