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参数资料
| 型号： | AP2301AGN |
| 厂商： | ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 3.3 A, 20 V, 0.097 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 93K |
| 代理商： | AP2301AGN |
AP2301AGN
65mΩ
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Output Characteristics
Fig 3. On-Resistance v.s. Gate Voltage
Fig 4. Normalized On-Resistance
v.s. Junction Temperature
2.01E+08
Fig 5. Forward Characteristic of
Fig 6. Gate Threshold Voltage v.s.
Reverse Diode
Junction Temperature
3
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-50
0
50
100
150
T j , Junction Temperature (
o C)
R
DS(
ON)
I D = -3A
V GS = -4.5V
0
4
8
12
16
20
012
345
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
-I
D
,
Drain
Current
(A)
T A =25
o C
-5.0V
-4.5V
-3.5V
-2.5V
V G = -1.5V
0
4
8
12
16
20
012
34
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
-I
D
,
Drain
Current
(A)
V G = -1.5V
-5.0V
-4.5V
-3.5V
-2.5V
T A = 150
o C
0
2
4
6
8
0
0.4
0.8
1.2
1.6
-V SD , Source-to-Drain Voltage (V)
-I
S(A)
T j =25
o C
T j =150
o C
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-50
0
50
100
150
T j , Junction Temperature (
o C)
Norm
alize
d
-
V
GS(
th)
(V)
40
42
44
46
48
50
52
12
345
-V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
R
DS(
ON)
(
Ω
)
I D =-2.6A
T A =25
o C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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