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参数资料
| 型号： | AP88N30W |
| 厂商： | ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 48 A, 300 V, 0.048 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, TO-3P, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 96K |
| 代理商： | AP88N30W |
Fig 7. Gate Charge Characteristics
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 11. Maximum Drain Current v.s.
Fig 12. Gate Charge Waveform
Case Temperature
4
AP88N30W
0
2
4
6
8
10
12
0
40
80
120
160
200
Q G , Total Gate Charge (nC)
V
GS
,
G
a
te
to
S
o
u
rc
e
Voltage
(
V
)
V DS = 150 V
V DS = 180 V
V DS = 240 V
I D =30 A
Q
VG
10V
QGS
QGD
QG
Charge
1
10
100
1000
10000
1
6
11
16
21
26
31
V DS ,Drain-to-Source Voltage (V)
C
(
p
F)
f=1.0MHz
C iss
C oss
C rss
0.001
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t , Pulse Width (s)
N
o
rmalize
d
T
h
e
rmal
Re
spon
se
(
R
th
jc
)
PDM
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthjc + TC
t
T
0.02
0.01
0.05
0.1
0.2
Duty factor=0.5
Single Pulse
0.1
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
1000
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
(A
)
T c =25
o C
Single Pulse
100us
1ms
10ms
100ms
DC
Operation in this
area limited by
RDS(ON)
0
10
20
30
40
50
60
25
50
75
100
125
150
T c , Case Temperature (
o C )
I
D
,
Dr
a
in
C
u
rr
e
nt
(A
)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AP90T03GHR | 75 A, 30 V, 0.004 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| AP9410GMT-HF | 30 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AP9412AGH | 68 A, 30 V, 0.006 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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