参数资料
| 型号： | APA450-BGG456I |
| 厂商： | Microsemi SoC |
| 文件页数： | 144/178页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FPGA PROASIC+ 450K 456-PBGA |
| 标准包装： | 24 |
| 系列： | ProASICPLUS |
| RAM 位总计： | 110592 |
| 输入/输出数： | 344 |
| 门数： | 450000 |
| 电源电压： | 2.3 V ~ 2.7 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 456-BBGA |
| 供应商设备封装： | 456-PBGA（35x35） |
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ProASICPLUS Flash Family FPGAs
2- 58
v5.9
Asynchronous SRAM Read, Address Controlled, RDB=0
Asynchronous SRAM Read, RDB Controlled
Note: The plot shows the normal operation status.
Figure 2-31 Asynchronous SRAM Read, Address Controlled, RDB = 0
Table 2-55 TJ = 0°C to 110°C; VDD = 2.3 V to 2.7 V for Commercial/Industrial
TJ = –55°C to 150°C, VDD = 2.3 V to 2.7 V for Military/MIL-STD-883B
Symbol txxx
Description
Min.
Max.
Units
Notes
ACYC
Read cycle time
7.5
ns
OAA
New DO access from RADDR stable
7.5
ns
OAH
Old DO hold from RADDR stable
3.0
ns
RPAA
New RPE access from RADDR stable
10.0
ns
RPAH
Old RPE hold from RADDR stable
3.0
ns
Note: The plot shows the normal operation status.
Figure 2-32 Asynchronous SRAM Read, RDB Controlled
RPE
DO
RADDR
tOAH
tRPAH
tOAA
tRPAA
tACYC
RB=(RDB+RBLKB)
RPE
DO
tORDH
tORDA
tRPRDA
tRDML
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tRDMH
tRPRDH
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