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参数资料
| 型号： | APM2601 |
| 厂商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | P沟道增强型MOS管 |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 609K |
| 代理商： | APM2601 |
Copyright
ANPEC Electronics Corp.
Rev. A.1 - Jun., 2003
www.anpec.com.tw
3
APM2601
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2
4
6
8
10
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0.12
0.14
0.16
0.18
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
2
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1
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-50
-25
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25
50
75
100
125
150
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
Typical Characteristics
-
D
D
Transfer Characteristics
T
J
=-55°C
T
J
=25°C
T
J
=125°C
-V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
Threshold Voltage vs. Junction Temperature
Tj - Junction Temperature (°C)
-
G
T
(
-I
DS
=250uA
R
D
-
)
On-Resistance vs. Drain Current
-V
GS
=2.5V
-I
D
- Drain Current (A)
-V
GS
=4.5V
-V
GS
=1V
Output Characteristics
-
D
-
-V
GS
=3,4.5,6,7,8V
-V
GS
=2V
-V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
-V
GS
=1.5V
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