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参数资料
| 型号： | APM2601 |
| 厂商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | P沟道增强型MOS管 |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 609K |
| 代理商： | APM2601 |
Copyright
ANPEC Electronics Corp.
Rev. A.1 - Jun., 2003
www.anpec.com.tw
5
APM2601
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1
10
0.01
0.1
1
10
100
0
2
4
6
8
10
12
14
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
Typical Characteristics (Cont.)
P
Single Pulse Power
Time (sec)
Square Wave Pulse Duration (sec)
Source-Drain Diode Forward Voltage
-
S
-
T
J
=150°C
T
J
=25°C
-V
SD
-Source-to-Drain Voltage (V)
N
T
Normalized Thermal Transient Impedence, Junction to Ambient
1.Duty Cycle, D=t1/t2
2.Per Unit Base=R
thJA
=100°C/W
3.T
JM
-T
A
=P
DM
Z
thJA
Duty Cycle=0.5
D=0.2
D=0.1
D=0.05
D=0.02
SINGLE PULSE
D=0.01
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