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参数资料
| 型号： | APM2601 |
| 厂商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | P沟道增强型MOS管 |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 609K |
| 代理商： | APM2601 |
Copyright
ANPEC Electronics Corp.
Rev. A.1 - Jun., 2003
www.anpec.com.tw
4
APM2601
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0.04
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0.20
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-50
-25
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25
50
75
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125
150
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
Typical Characteristics (Cont.)
R
D
-
)
(
On-Resistance vs. Junction Temperature
-V
GS
=4.5V
-I
D
=3A
T
J
- Junction Temperature (°C)
-V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
C
Ciss
Coss
Crss
-V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
R
D
-
)
-I
D
=3A
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
Gate Charge
Q
G
- Gate Charge (nC)
-
G
-
-V
DS
=10V
-I
D
=1A
Frequency=1MHz
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PDF描述 |
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