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参数资料
| 型号： | APM9988COC-TR |
| 厂商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | 双N沟道增强型MOS管 |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 191K |
| 代理商： | APM9988COC-TR |
Copyright
ANPEC Electronics Corp.
Rev. B.1 - S ep., 2005
www.anpec.com.tw
4
APM9988CO
Typical Characteristics
I
D
-
Drain Current
T
j
- Junction Temperature (°C)
Safe Operation Area
V
DS
- Drain - Source Voltage (V)
Thermal Transient Impedance
Square Wave Pulse Duration (sec)
Power Dissipation
P
t
-
T
j
- Junction Temperature (°C)
I
D
-
N
0
20
40
60
80
100 120 140 160
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T
A
=25
o
C
0
20
40
60
80
100 120 140 160
0
2
4
6
8
T
A
=25
o
C,V
G
=4.5V
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
300
μ
s
1ms
Rso)Lm
1s
DC
T
A
=25
o
C
10ms
100ms
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10 30
1E-3
0.01
0.1
1
2
Mounted on 1in
R
θ
JA
: 100
2
pad
o
C/W
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
Single Pulse
Duty = 0.5
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