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参数资料
| 型号： | APM9988COC-TUL |
| 厂商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | 双N沟道增强型MOS管 |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 191K |
| 代理商： | APM9988COC-TUL |
Copyright
ANPEC Electronics Corp.
Rev. B.1 - S ep., 2005
www.anpec.com.tw
5
APM9988CO
R
D
-
)
Drain-Source On Resistance
I
D
- Drain Current (A)
T
j
- Junction Temperature (°C)
Gate Threshold Voltage
V
DS
- Drain-Source Voltage (V)
I
D
-
Output Characteristics
Transfer Characteristics
V
GS
- Gate - Source Voltage (V)
I
D
-
N
Typical Characteristics ( Cont.)
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
T
j
=125
o
C
T
j
=25
o
C
T
j
=-55
o
C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I
DS
=250
μ
A
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
1.5V
V
GS
= 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10V
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
10
12
14
16
18
20
22
24
V
GS
=2.5V
V
GS
=4.5V
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