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参数资料
| 型号： | APM9988COC-TUL |
| 厂商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | 双N沟道增强型MOS管 |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 191K |
| 代理商： | APM9988COC-TUL |
Copyright
ANPEC Electronics Corp.
Rev. B.1 - S ep., 2005
www.anpec.com.tw
6
APM9988CO
V
DS
- Drain - Source Voltage (V)
Drain-Source On Resistance
N
T
j
- Junction Temperature (°C)
C
V
SD
- Source - Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward
I
S
Capacitance
Gate Charge
Q
G
- Gate Charge (nC)
V
G
Typical Characteristics ( Cont.)
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
R
ON
@T
j
=25
o
C: 16m
V
GS
= 4.5V
I
D
= 6A
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.1
1
10
20
T
j
=150
o
C
T
j
=25
o
C
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
0
250
500
750
1000
1250
1500
1750
2000
Frequency=1MHz
Crss
Coss
Ciss
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
0
1
2
3
4
5
V
DS
=10V
I
DS
= 6A
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