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参数资料
| 型号： | APT100GN120B2 |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 245 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 128K |
| 代理商： | APT100GN120B2 |
050-7626
Re
v
A
12-2007
APT100GN120B2
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0
Z
θ
JC
,
THERMAL
IMPED
ANCE
(°C/W)
0.3
D = 0.9
0.7
SINGLE PULSE
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
Figure 19a, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
10,000
5,000
1,000
500
100
350
300
250
200
150
100
50
0
C
,CAP
A
CIT
ANCE
(
P
F)
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(A)
V
CE
, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
V
CE
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
Figure 18,Minimim Switching Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
0
200
400
600
800
1000 1200 1400
FIGURE 19b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
20 40
60
80 100 120 140 160 180 200
F
MAX
,OPERA
TING
FREQ
UENCY
(kHz)
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 20, Operating Frequency vs Collector Current
T
J
= 125
°C
T
C
= 75
°C
D = 50 %
V
CE
= 800V
R
G
= 1.0
Ω
50
40
30
20
10
0
0.5
0.1
0.05
F
max
= min (f
max, f max2)
0.05
f
max1 = t
d(on) + tr + td(off) + tf
P
diss - P cond
E
on2 + E off
f
max2 =
P
diss =
T
J - T C
R θJC
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
Duty Factor D =
t1/t
2
t2
t1
P
DM
Note:
C
res
C
oes
C
ies
0.0273
0.0558
0.0467
0.00088
0.0233
0.649
Dissipated Power
(Watts)
T
J (°C)
T
C (°C)
Z
EXT are the external thermal
impedances: Case to sink,
sink to ambient, etc. Set to
zero when modeling only
the case to junction.
Z
EXT
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