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参数资料
| 型号： | APT100GN120J |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 153 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ISOTOP-4 |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 412K |
| 代理商： | APT100GN120J |
050-7623
Rev
A
10-2005
APT100GN120J
IC
A
D.U.T.
VCE
Figure 21, Inductive Switching Test Circuit
VCC
Figure 22, Turn-on Switching Waveforms and Denitions
Figure 23, Turn-off Switching Waveforms and Denitions
T
J = 125°C
Collector Current
Collector Voltage
Gate Voltage
Switching Energy
5%
10%
t
d(on)
90%
10%
t
r
5%
T
J = 125°C
Collector Voltage
Collector Current
Gate Voltage
Switching Energy
0
90%
t
d(off)
10%
t
f
90%
APT100DQ120
SOT-227 (ISOTOP) Package Outline
APT’s products are covered by one or more of U.S.patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
ISOTOPis a Registered Trademark of SGS Thomson.
31.5 (1.240)
31.7 (1.248)
Dimensions in Millimeters and (Inches)
7.8 (.307)
8.2 (.322)
30.1 (1.185)
30.3 (1.193)
38.0 (1.496)
38.2 (1.504)
14.9 (.587)
15.1 (.594)
11.8 (.463)
12.2 (.480)
8.9 (.350)
9.6 (.378)
Hex Nut M4
(4 places)
0.75 (.030)
0.85 (.033)
12.6 (.496)
12.8 (.504)
25.2 (0.992)
25.4 (1.000)
1.95 (.077)
2.14 (.084)
* Emitter
Collector
Gate
*
r = 4.0 (.157)
(2 places)
4.0 (.157)
4.2 (.165)
(2 places)
W=4.1 (.161)
W=4.3 (.169)
H=4.8 (.187)
H=4.9 (.193)
(4 places)
3.3 (.129)
3.6 (.143)
* Emitter
Emitter terminals are shorted
internally. Current handling
capability is equal for either
Source terminal.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT10GT60BR | 20 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| APT10M11B2VR | 100 A, 100 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT10M11JVRU3 | 142 A, 100 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT10M11LVR | 100 A, 100 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
| APT10M11LVR | 100 A, 100 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT100GN120JDQ4 | 功能描述:IGBT 1200V 153A 446W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APT100GN60B2 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:IGBT |
| APT100GN60B2G | 功能描述:IGBT 600V 229A 625W TMAX RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| APT100GN60LDQ4 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:IGBT |
| APT100GN60LDQ4G | 功能描述:IGBT 600V 229A 625W TO264 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
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