型号: | APT11044LFLL |
厂商: | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | 26 A, 1100 V, 0.44 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
封装: | TO-264, 3 PIN |
文件页数: | 4/5页 |
文件大小: | 101K |
代理商: | APT11044LFLL |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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APT11044B2FLL | 26 A, 1100 V, 0.44 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
APT110GL100JN | 110 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT |
APT40GF100BN | 40 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
APT45GF60BN | 45 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
APT75GL60BN | 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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APT11058B2FLL | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Volts:1100V RDS(ON)0.58Ohms ID(cont):20Amps|FREDFETs ( fast body diode) |
APT11058JFLL | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 FREDFET |
APT11058LFLL | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 FREDFET |
APT11F80B | 功能描述:MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS 8™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
APT11F80S | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK |