型号: | APT11GF120KR |
元件分类: | IGBT 晶体管 |
英文描述: | 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
封装: | TO-220, 3 PIN |
文件页数: | 2/6页 |
文件大小: | 395K |
代理商: | APT11GF120KR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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APT11GF120KRG | 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
APT11GF120KR | 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
APT11GP60SA | 41 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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APT11GF120KRG | 功能描述:IGBT 1200V 25A 156W TO220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
APT11GP60BDQB | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
APT11GP60BDQBG | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 7 - COMBI - Rail/Tube 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
APT11GP60K | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
APT11GP60KG | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 7 - SINGLE - Rail/Tube |