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参数资料
| 型号： | APT150GN60JDQ4 |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 220 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ISOTOP-4 |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 533K |
| 代理商： | APT150GN60JDQ4 |
050-7625
Rev
A
4-2006
APT150GN60JDQ4
Figure 22, Turn-on Switching Waveforms and Denitions
Figure 23, Turn-off Switching Waveforms and Denitions
T
J = 125°C
Collector Current
Collector Voltage
Gate Voltage
Switching Energy
5%
10%
t
d(on)
90%
10%
t
r
5%
T
J = 125°C
Collector Voltage
Collector Current
Gate Voltage
Switching Energy
0
90%
t
d(off)
10%
t
f
90%
APT100DQ60
IC
A
D.U.T.
VCE
Figure 21, Inductive Switching Test Circuit
VCC
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT150GN60LDQ4 | 220 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
| APT15F50KF | 6.2 A, 500 V, 0.39 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| APT15GP60BDF1 | 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT15GP60BDQ1 | 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT15GP60BDQ1G | 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT150GN60LDQ4 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Thunderbolt IGBT |
| APT150GN60LDQ4G | 功能描述:IGBT 600V 220A 536W TO-264L RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| APT150GT120JR | 功能描述:IGBT 1200V 170A 830W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:Thunderbolt IGBT® 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APT-15A | 制造商:OPTIFUSE 功能描述: |
| APT15D100B | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE |
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