型号: | APT15F50KF |
厂商: | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | 6.2 A, 500 V, 0.39 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
封装: | ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 220K |
代理商: | APT15F50KF |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
APT15GP60BDF1 | 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
APT15GP60BDQ1 | 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
APT15GP60BDQ1G | 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
APT15GP60BDQ1 | 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
APT15GP60BG | 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
APT15F60B | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 15A TO-247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS 8™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
APT15F60S | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 600V 16A D3PAK |
APT15GF120JCU2 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:ISOTOP? Boost chopper NPT IGBT SiC chopper diode |
APT15GN120BDQ1 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE |
APT15GN120BDQ1G | 功能描述:IGBT 1200V 45A 195W TO247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |