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参数资料
| 型号： | APT15F50KF |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 6.2 A, 500 V, 0.39 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 220K |
| 代理商： | APT15F50KF |
V
GS= 7, & 10V
5.5V
T
J = 125°C
T
J = 25°C
T
J = -55°C
V
GS = 10V
5V
V
DS> ID(ON) x RDS(ON) MAX.
250μSEC. PULSE TEST
@ <0.5 % DUTY CYCLE
NORMALIZED TO
V
GS = 10V @ 7A
T
J = 125°C
T
J = 25°C
T
J = -55°C
C
oss
C
iss
I
D = 7A
V
DS = 640V
V
DS = 160V
V
DS = 400V
T
J = 150°C
T
J = 25°C
T
J = 125°C
T
J = 150°C
C
rss
T
J = 125°C
T
J = 25°C
T
J = -55°C
6.5V
6V
V
GS
,GA
TE-T
O-SOURCE
VOL
TAGE
(V)
g
fs
,TRANSCONDUCT
ANCE
R
DS(ON)
,DRAIN-T
O-SOURCE
ON
RESIST
ANCE
I D
,DRAIN
CURRENT
(A)
I
SD,
REVERSE
DRAIN
CURRENT
(A)
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
I D
,DRAIN
CURRENT
(A)
I D
,DRIAN
CURRENT
(A)
V
DS(ON), DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
V
DS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1, Output Characteristics
Figure 2, Output Characteristics
T
J, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
V
GS, GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3, R
DS(ON) vs Junction Temperature
Figure 4, Transfer Characteristics
I
D, DRAIN CURRENT (A)
V
DS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5, Gain vs Drain Current
Figure 6, Capacitance vs Drain-to-Source Voltage
Q
g, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
SD, SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 7, Gate Charge vs Gate-to-Source Voltage
Figure 8, Reverse Drain Current vs Source-to-Drain Voltage
0
5
10
15
20
25
0
5
10
15
20
25
30
-55 -25
0
25
50
75
100 125 150
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
2
4
6
8
10
12
14
0
100
200
300
400
500
0
20
40
60
80
100
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
16
14
12
10
8
6
4
2
0
25
20
15
10
5
0
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
4,000
1,000
100
10
1
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
APT15F50K_KF
050-8145
Rev
D
12-2009
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PDF描述 |
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