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参数资料
| 型号： | APT150GN60LDQ4 |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 220 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
| 封装： | TO-264, 3 PIN |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 223K |
| 代理商： | APT150GN60LDQ4 |
050-7633
Rev
A
10-2008
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
Z θ
JC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
0.3
D = 0.9
0.7
SINGLE PULSE
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
Figure 19a, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
20,000
10,000
500
100
50
10
500
400
300
200
100
0
C,
CAP
ACIT
ANCE
(
P
F)
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(A)
V
CE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
V
CE, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
Figure 18,Minimim Switching Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
0
100
200
300
400
500
600
700
FIGURE 19b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
30 50
70
90
110 130 150 170 190
F
MAX
,OPERA
TING
FREQUENCY
(kHz)
I
C, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 20, Operating Frequency vs Collector Current
T
J = 125°C
T
C = 75°C
D = 50 %
V
CE = 400V
R
G = 1.0Ω
50
10
5
1
0.5
0.1
0.05
F
max
= min (f
max, f max2)
0.05
f
max1 = t
d(on) + tr + td(off) + tf
P
diss - P cond
E
on2 + E off
f
max2 =
P
diss =
T
J - T C
R θJC
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
Duty Factor D =
t1/t
2
t2
t1
P
DM
Note:
C
res
C
oes
C
ies
0.0964
0.184
0.00770
0.300
Power
(watts)
RC MODEL
Junction
temp. (
°C)
Case temperature. (
°C)
Typical Performance Curves
APT150GN60LDQ4(G)
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PDF描述 |
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参数描述 |
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