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参数资料
| 型号： | APT15GF170BR |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 25 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 45K |
| 代理商： | APT15GF170BR |
052-6215
Rev
-
EUROPE
Avenue J.F. Kennedy Bt B4 Parc Cadéra Nord
F-33700 Merignac - France
Phone: (33) 5 57 92 15 15
FAX: (33) 5 56 47 97 61
USA
405 S.W. Columbia Street
Bend, Oregon 97702 -1035
Phone: (541) 382-8028
FAX: (541) 388-0364
APT15GF170BR
PRELIMINARY
Power dissipation
Ptot = (TC)
parameter:
T
j ≤ 150 °C
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
C
0
40
80
120
160
200
240
W
320
P
tot
Collector current
IC = (TC)
parameter:
V
GE ≥ 15 V , Tj ≤ 150 °C
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
C
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
A
26
I
C
Safe operating area
IC = (VCE)
parameter:
D = 0, T
C = 25°C , Tj ≤ 150 °C
-1
10
0
10
1
10
2
10
A
I
C
10
0
10
1
10
2
10
3
V
CE
DC
10 ms
1 ms
100 s
10 s
t
p
= 3.4s
Transient thermal impedance
IGBT
Zth JC = (tp)
parameter:
D = t
p / T
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
K/W
Z
thJC
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
s
t
p
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT15GN120K | 45 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
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| APT15GN120K | 45 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
| APT15GP90BDQ1 | 43 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT15GP90BDQ1G | 43 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| APT15GN120KG | 功能描述:IGBT 1200V 45A 195W TO220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:POWER MOS 7® 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| APT15GN120SDQ1 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:High Speed PT IGBT |
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