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参数资料
| 型号： | APT15GP60BDF1 |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| 封装： | TO-247, 3 PIN |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 129K |
| 代理商： | APT15GP60BDF1 |
050-7428
Rev
B
4-2003
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
APT15GP60BDF1
4,000
1,000
500
100
50
10
70
60
50
40
30
20
10
0
C,
CAPACITANCE
(
P
F)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
VCE,COLLECTOR-TO-EMITTERVOLTAGE(VOLTS)
VCE, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
Figure 18, Minimim Switching Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
0
100
200
300
400
500
600
700
Cies
Coes
Cres
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
0
Note:
Duty Factor D =
t1/t
2
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
t1
t2
P
DM
Z
θJC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
0.3
0.9
0.7
0.1
0.05
0.5
SINGLE PULSE
RECTANGULARPULSEDURATION(SECONDS)
Figure 19A, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
max
max1
max 2
max1
d (on )
r
d(off )
f
diss
cond
max 2
on 2
off
JC
diss
JC
Fmin(f
, f
)
0.05
f
tt
t
PP
f
EE
TT
P
R θ
=
++
+
=
+
=
FIGURE 19B, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
5
1015
20
2530
35
40
45
50
292
100
50
10
F
MAX
,OPERATING
FREQUENCY
(kHz)
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 20, Operating Frequency vs Collector Current
TJ = 125°C
TC = 75°C
D = 50 %
VCE = 400V
RG = 5
0.216
0.284
0.00600
0.164
Power
(Watts)
RC MODEL
Junction
temp. ( ”C)
Case temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT15GP60BDQ1 | 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT15GP60BDQ1G | 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT15GP60BDQ1 | 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT15GP60BG | 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT15GP60BSC | 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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