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参数资料
| 型号： | APT15GP60BDF1 |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| 封装： | TO-247, 3 PIN |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 129K |
| 代理商： | APT15GP60BDF1 |
050-7428
Rev
B
4-2003
APT15GP60BDF1
TJ = 100°C
VR = 350V
trr
Qrr
trr
IRRM
Vfr
30A
15A
7.5A
15A
7.5A
30A
TJ = 25°C
TJ = 100°C
TJ = 150°C
7.5A
15A
30A
tfr
TJ = 175°C
TJ = 100°C
VR = 400V
TJ = 100°C
VR = 400V
TJ = 100°C
VR = 400V
IF = 15A
120
100
80
60
40
20
0
100
80
60
40
20
0
16
14
12
10
8
6
4
2
0
100
80
60
40
20
0
250
200
150
100
50
0
500
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
30
25
20
15
10
5
0
30
25
20
15
10
5
0
C
J,
JUNCTION
CAPACITANCE
t rr
,REVERSE
RECOVERY
TIME
I RRM
,REVERSE
RECOVERY
CURRENT
I F
,FORWARD
CURRENT
(pF)
(ns)
(A
)
(A
)
I F(AV)
(A)
t fr
,FORWARD
RECOVERY
TIME
K
f,
DYNAMIC
PARAMETERS
Q
rr
,REVERSE
RECOVERY
CHARGE
(ns)
(NORMALIZED)
(nC)
V
fr
,FORWARD
RECOVERY
VOLTAGE
(V)
0
1
2
3
4
5
0
200
400
600
800
1000
0
200
400
600
800
1000
0
25
50
75
100
125
150
0
200
400
600
800
1000
0
200
400
600
800
1000
.3
1
10
100 200
25
50
75
100
125
150
VF,ANODE-TO-CATHODEVOLTAGE(V)
diF /dt, CURRENT RATE OF DECREASE(A/s)
Figure 26, Forward Voltage vs. Forward Current
Figure 27, Reverse Recovery Charge vs. Current Rate of Decrease
diF /dt, CURRENT RATE OF DECREASE (A/s)
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 28, Reverse Recovery Current vs. Current Rate of Decrease
Figure 29, Dynamic Parameters vs. Junction Temperature
diF /dt, CURRENT RATE OF DECREASEs (A/s)
diF /dt, CURRENT RATE OF DECREASE (A/s)
Figure 30, Reverse Recovery Time vs. Current Rate of Decrease
Figure 31, Forward Recovery Voltage/Time vs. Current Rate of Decrease
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
Case Temperature (°C)
Figure 32, Junction Capacitance vs. Reverse Voltage
Figure 33, Maximum Average Forward Current vs.
CaseTemperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT15GP60BDQ1 | 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT15GP60BDQ1G | 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT15GP60BDQ1 | 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT15GP60BG | 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT15GP60BSC | 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT15GP60BDL | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Resonant Mode Combi IGBT |
| APT15GP60BDLG | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - RESONANT MODE - COMBI - Rail/Tube 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:IGBT 600V 56A TO-247 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:IGBT 600V 56A 250W TO247 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APT15GP60BDQ1 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
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| APT15GP60BG | 功能描述:IGBT 600V 56A 250W TO247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:POWER MOS 7® 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
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