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参数资料
| 型号： | APT15GT60KR |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 42 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
| 封装： | TO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 190K |
| 代理商： | APT15GT60KR |
052-6202
Re
v
E
6-2008
APT15GT60KR(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
0.70
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
0
Z
θJC
,THERMAL
IMPED
ANCE
(°C/W)
0.3
D = 0.9
0.7
SINGLE PULSE
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
Figure19a,MaximumEffectiveTransientThermalImpedance,Junction-To-CasevsPulseDuration
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
2,000
1,000
500
100
50
10
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
C
,CAP
A
CIT
ANCE
(
P
F)
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(A)
V
CE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
V
CE, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Figure17,Capacitancevs Collector-To-EmitterVoltage
Figure18,MinimimSwitchingSafeOperatingArea
0
10
20
30
40
50
0
100
200
300
400
500
600
700
FIGURE 19b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
0
5
10
15
20
25
30
F
MAX
,OPERA
TING
FREQ
UENCY
(kHz)
I
C, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure20,OperatingFrequencyvsCollectorCurrent
T
J = 125°C
T
C = 75°C
D = 50 %
V
CE = 400V
R
G = 10
180
100
50
10
C
res
0.5
0.1
0.05
F
max
= min (f
max, fmax2)
0.05
f
max1 = t
d(on) + tr + td(off) + tf
P
diss - Pcond
E
on2 + Eoff
f
max2 =
P
diss =
T
J - TC
RθJC
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
Duty Factor D =
t1/t2
t2
t1
P
DM
Note:
C
oes
C
ies
0.243
0.165
0.271
0.0013
0.00675
0.0969
Dissipated Power
(Watts)
T
J (°C)
T
C (°C)
Z
EXT are the external thermal
impedances: Case to sink,
sink to ambient, etc. Set to
zero when modeling only
the case to junction.
Z
EXT
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