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参数资料
| 型号： | APT18-2730 |
| 元件分类： | 放大器 |
| 英文描述： | 6000 MHz - 18000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER |
| 文件页数： | 1/12页 |
| 文件大小： | 253K |
| 代理商： | APT18-2730 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT-4064 | 2000 MHz - 4000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER |
| APT18-3038 | 6000 MHz - 18000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER |
| APTCV60TLM70T3G | 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGV50H120BTPG | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| AR0001 | MOBILE STATION ANTENNA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT18F60B | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO-247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| APT18F60S | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 600V 19A D3PAK |
| APT18M100B | 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| APT18M100B_09 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET |
| APT18M100S | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MOSFET TRANSISTOR |
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