型号: | APTCV60TLM70T3G |
厂商: | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
元件分类: | IGBT 晶体管 |
英文描述: | 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
封装: | ROHS COMPLIANT, SP3, 32 PIN |
文件页数: | 1/11页 |
文件大小: | 281K |
代理商: | APTCV60TLM70T3G |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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APTGV50H120BTPG | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
AR0001 | MOBILE STATION ANTENNA |
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ARA2000S23TR | RF/MICROWAVE NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER |
AT30TS750-XM8-T | DIGITAL TEMP SENSOR-SERIAL, 12BIT(s), 3Cel, SQUARE, SURFACE MOUNT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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APTCV60TLM991G | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Three level inverter CoolMOS & Trench + Field Stop IGBT Power Module |
APTCV60TLM99T3G | 功能描述:POWER MODULE IGBT QUAD 600V SP3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
APTCV90TL12T3G | 功能描述:POWER MODULE IGBT QUAD 900V SP3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
APTD1608CGCK | 功能描述:标准LED-SMD SMD Green 570nm 230mcd RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 封装 / 箱体:0402 LED 大小:1 mm x 0.5 mm x 0.35 mm 照明颜色:Red 波长/色温:631 nm 透镜颜色/类型:Water Clear 正向电流:30 mA 正向电压:2 V 光强度:54 mcd 显示角:130 deg 系列:VLMx1500 封装:Reel |
APTD1608LCGCK | 功能描述:LED GREEN CLEAR 2SMD 制造商:kingbright 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 颜色:绿色 透镜颜色:无色 透镜透明度:透明 毫烛光等级:8mcd 透镜样式/尺寸:圆形,带圆顶,0.70mm 电压 - 正向(Vf)(典型值):2.65V 电流 - 测试:2mA 视角:60° 安装类型:表面贴装 波长 - 主:570nm 波长 - 峰值:574nm 特性:- 封装/外壳:0603(1608 公制) 供应商器件封装:1608 大小/尺寸:1.60mm 长 x 0.80mm 宽 高度(最大值):1.05mm 标准包装:1 |