参数资料
型号: APTCV60TLM70T3G
厂商: MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分类: IGBT 晶体管
英文描述: 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封装: ROHS COMPLIANT, SP3, 32 PIN
文件页数: 2/11页
文件大小: 281K
代理商: APTCV60TLM70T3G
APTCV60TLM70T3G
APT
C
V60T
LM
70T
3G
Rev
0
Mar
ch,
2009
www.microsemi.com
10 - 11
CR5 & CR6 Typical performance curve
Forward Characteristic of diode
TJ=25°C
TJ=125°C
0
20
40
60
80
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
VF (V)
I F
(A
)
Energy losses vs Collector Current
0
0.25
0.5
0.75
1
0
20406080
IC (A)
E
(mJ)
VCE = 400V
VGE = 15V
RG = 2.5
TJ = 125°C
0
0.25
0.5
0.75
1
0
246
8
10
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J
)
VCE = 400V
VGE =15V
IC = 30A
TJ = 125°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration (Seconds)
Th
e
rm
a
lIm
pe
da
nc
e
(
°C
/W
)
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参数描述
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APTCV60TLM99T3G 功能描述:POWER MODULE IGBT QUAD 600V SP3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
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APTD1608CGCK 功能描述:标准LED-SMD SMD Green 570nm 230mcd RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 封装 / 箱体:0402 LED 大小:1 mm x 0.5 mm x 0.35 mm 照明颜色:Red 波长/色温:631 nm 透镜颜色/类型:Water Clear 正向电流:30 mA 正向电压:2 V 光强度:54 mcd 显示角:130 deg 系列:VLMx1500 封装:Reel
APTD1608LCGCK 功能描述:LED GREEN CLEAR 2SMD 制造商:kingbright 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 颜色:绿色 透镜颜色:无色 透镜透明度:透明 毫烛光等级:8mcd 透镜样式/尺寸:圆形,带圆顶,0.70mm 电压 - 正向(Vf)(典型值):2.65V 电流 - 测试:2mA 视角:60° 安装类型:表面贴装 波长 - 主:570nm 波长 - 峰值:574nm 特性:- 封装/外壳:0603(1608 公制) 供应商器件封装:1608 大小/尺寸:1.60mm 长 x 0.80mm 宽 高度(最大值):1.05mm 标准包装:1