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参数资料
| 型号： | APTCV60TLM70T3G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP3, 32 PIN |
| 文件页数： | 11/11页 |
| 文件大小： | 281K |
| 代理商： | APTCV60TLM70T3G |
APTCV60TLM70T3G
APT
C
V60T
LM
70T
3G
–
Rev
0
Mar
ch,
2009
www.microsemi.com
9- 11
TJ=25°C
TJ=150°C
1
10
100
1000
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
VSD, Source to Drain Voltage (V)
I DR
,Reverse
Drai
n
Cu
rren
t(A)
Source to Drain Diode Forward Voltage
Delay Times vs Current
td(on)
td(off)
0
50
100
150
200
250
300
350
0
1020
30
40506070
ID, Drain Current (A)
t d(
on)
a
nd
t
d(
of
f)
(ns)
VDS=400V
RG=5
TJ=125°C
L=100H
Rise and Fall times vs Current
tr
tf
0
20
40
60
80
100
120
0
1020
30
40
506070
ID, Drain Current (A)
t r
and
t
f(n
s)
VDS=400V
RG=5
TJ=125°C
L=100H
Switching Energy vs Current
Eon
Eoff
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
10
203040
50
60
70
ID, Drain Current (A)
S
w
it
ch
in
g
E
n
erg
y
(
m
J)
VDS=400V
RG=5
TJ=125°C
L=100H
Eon
Eoff
0
1
2
3
4
5
0
5 10 15 20 25 30 35 40 45 50
Gate Resistance (Ohms)
S
w
it
ch
in
g
E
n
erg
y
(m
J)
Switching Energy vs Gate Resistance
VDS=400V
ID=39A
TJ=125°C
L=100H
hard
switching
0
20
40
60
80
100
120
140
5
101520
253035
ID, Drain Current (A)
F
req
uen
cy
(kH
z
)
Operating Frequency vs Drain Current
VDS=400V
D=50%
RG=5
TJ=125°C
TC=75°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGV50H120BTPG | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| AR0001 | MOBILE STATION ANTENNA |
| AR0001 | MOBILE STATION ANTENNA |
| ARA2000S23TR | RF/MICROWAVE NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER |
| AT30TS750-XM8-T | DIGITAL TEMP SENSOR-SERIAL, 12BIT(s), 3Cel, SQUARE, SURFACE MOUNT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APTCV60TLM991G | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Three level inverter CoolMOS & Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| APTCV60TLM99T3G | 功能描述:POWER MODULE IGBT QUAD 600V SP3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTCV90TL12T3G | 功能描述:POWER MODULE IGBT QUAD 900V SP3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTD1608CGCK | 功能描述:标准LED-SMD SMD Green 570nm 230mcd RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 封装 / 箱体:0402 LED 大小:1 mm x 0.5 mm x 0.35 mm 照明颜色:Red 波长/色温:631 nm 透镜颜色/类型:Water Clear 正向电流:30 mA 正向电压:2 V 光强度:54 mcd 显示角:130 deg 系列:VLMx1500 封装:Reel |
| APTD1608LCGCK | 功能描述:LED GREEN CLEAR 2SMD 制造商:kingbright 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 颜色:绿色 透镜颜色:无色 透镜透明度:透明 毫烛光等级:8mcd 透镜样式/尺寸:圆形，带圆顶，0.70mm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:2.65V 电流 - 测试:2mA 视角:60° 安装类型:表面贴装 波长 - 主:570nm 波长 - 峰值:574nm 特性:- 封装/外壳:0603（1608 公制） 供应商器件封装:1608 大小/尺寸:1.60mm 长 x 0.80mm 宽 高度（最大值）:1.05mm 标准包装:1 |
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