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参数资料
| 型号： | APTCV60TLM70T3G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP3, 32 PIN |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 281K |
| 代理商： | APTCV60TLM70T3G |
APTCV60TLM70T3G
APT
C
V60T
LM
70T
3G
–
Rev
0
Mar
ch,
2009
www.microsemi.com
3- 11
Q2 & Q3 Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
600
V
TC = 25°C
80
IC
Continuous Collector Current
TC = 80°C
50
ICM
Pulsed Collector Current
TC = 25°C
100
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
TC = 25°C
176
W
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area
TJ = 150°C
100A @ 550V
Q2 & Q3 Electrical Characteristics.
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 600V
250
A
Tj = 25°C
1.5
1.9
VCE(sat)
Collector Emitter Saturation Voltage
VGE =15V
IC = 50A
Tj = 150°C
1.7
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE , IC = 600A
5.0
5.8
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
600
nA
Q2 & Q3 Dynamic Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
3150
Coes
Output Capacitance
200
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
95
pF
QG
Gate charge
VGE=±15V, IC=50A
VCE=300V
0.5
C
Td(on)
Turn-on Delay Time
110
Tr
Rise Time
45
Td(off)
Turn-off Delay Time
200
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 50A
RG = 8.2Ω
40
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
120
Tr
Rise Time
50
Td(off)
Turn-off Delay Time
250
Tf
Fall Time
Inductive Switching (150°C)
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 50A
RG = 8.2Ω
60
ns
Tj = 25°C
0.3
Eon
Turn-on Switching Energy
Tj = 150°C
0.43
mJ
Tj = 25°C
1.35
Eoff
Turn-off Switching Energy
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 50A
RG = 8.2Ω
Tj = 150°C
1.75
mJ
Isc
Short Circuit data
VGE ≤15V ; VBus = 360V
tp ≤ 6s ; Tj = 150°C
250
A
RthJC
Junction to Case Thermal Resistance
0.85
°C/W
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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