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参数资料
| 型号： | APTCV60TLM70T3G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP3, 32 PIN |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 281K |
| 代理商： | APTCV60TLM70T3G |
APTCV60TLM70T3G
APT
C
V60T
LM
70T
3G
–
Rev
0
Mar
ch,
2009
www.microsemi.com
11 - 11
CR2, CR3, CR7 & CR8 Typical performance curve
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration (Seconds)
The
rm
a
lIm
p
e
da
nc
e
(
°C
/W)
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
TJ=25°C
TJ=125°C
0
20
40
60
80
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
VF, Anode to Cathode Voltage (V)
I F
,Forwa
rd
Current
(A)
Forward Current vs Forward Voltage
Energy losses vs Collector Current
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
20
406080
IC (A)
E
(
m
J
)
VCE = 800V
VGE = 15V
RG = 5
TJ = 125°C
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
010
20
30
Gate resistance (ohms)
E
(
m
J
)
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
VCE = 800V
VGE =15V
IC = 30A
TJ = 125°C
Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
Microsemi's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522 5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103
5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262
and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGV50H120BTPG | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| AR0001 | MOBILE STATION ANTENNA |
| AR0001 | MOBILE STATION ANTENNA |
| ARA2000S23TR | RF/MICROWAVE NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER |
| AT30TS750-XM8-T | DIGITAL TEMP SENSOR-SERIAL, 12BIT(s), 3Cel, SQUARE, SURFACE MOUNT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APTCV60TLM991G | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Three level inverter CoolMOS & Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| APTCV60TLM99T3G | 功能描述:POWER MODULE IGBT QUAD 600V SP3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTCV90TL12T3G | 功能描述:POWER MODULE IGBT QUAD 900V SP3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTD1608CGCK | 功能描述:标准LED-SMD SMD Green 570nm 230mcd RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 封装 / 箱体:0402 LED 大小:1 mm x 0.5 mm x 0.35 mm 照明颜色:Red 波长/色温:631 nm 透镜颜色/类型:Water Clear 正向电流:30 mA 正向电压:2 V 光强度:54 mcd 显示角:130 deg 系列:VLMx1500 封装:Reel |
| APTD1608LCGCK | 功能描述:LED GREEN CLEAR 2SMD 制造商:kingbright 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 颜色:绿色 透镜颜色:无色 透镜透明度:透明 毫烛光等级:8mcd 透镜样式/尺寸:圆形，带圆顶，0.70mm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:2.65V 电流 - 测试:2mA 视角:60° 安装类型:表面贴装 波长 - 主:570nm 波长 - 峰值:574nm 特性:- 封装/外壳:0603（1608 公制） 供应商器件封装:1608 大小/尺寸:1.60mm 长 x 0.80mm 宽 高度（最大值）:1.05mm 标准包装:1 |
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