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参数资料
| 型号： | APT200GN60JDQ4 |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 283 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ISOTOP-4 PIN |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 524K |
| 代理商： | APT200GN60JDQ4 |
050-7611
Rev
B
3-2005
APT200GN60JDQ4
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
Z
θJC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
0.3
0.7
SINGLE PULSE
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
Figure 19a, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
10
20,000
10,000
5000
1000
500
100
700
600
500
400
300
200
100
0
C,
CAPACITANCE
(
P
F)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
V
CE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
V
CE, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
Figure 18,Minimim Switching Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
0
100
200
300 400
500 600
700
FIGURE 19b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
40 60
80 100 120 140 160 180 200
F
MAX
,OPERATING
FREQUENCY
(kHz)
I
C, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 20, Operating Frequency vs Collector Current
TJ = 125°C
TC = 75°C
D = 50 %
VCE = 400V
RG = 1.0
60
10
1
0.5
0.1
0.05
F
max
= min (f
max, fmax2)
0.05
f
max1 = t
d(on) + tr + td(off) + tf
P
diss - Pcond
E
on2 + Eoff
f
max2 =
P
diss =
T
J - TC
RθJC
C
0es
C
res
C
ies
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
Duty Factor D =
t1/t2
t2
t1
P
DM
Note:
D = 0.9
0.0463
0.132
0.0414
0.0120
0.483
8.30
Power
(watts)
Junction
temp. (°C)
RC MODEL
Case temperature. (°C)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT200GN60J | 250 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT20GF120BRD | 32 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT20GF120SRD | 32 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT20GF120SRDQ1G | 36 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT20GF120BRDQ1G | 36 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT200GN60JDQ4G | 功能描述:IGBT 600V 283A 682W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APT200GN60JG | 功能描述:IGBT 600V 283A 682W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APT200GT60JR | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - NPT MED FREQUENCY - SING - Rail/Tube |
| APT200GT60JRDL | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - RESONANT MODE - COMBI - Rail/Tube |
| APT200GT60JRDQ4 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - NPT MED FREQUENCY COMBI - Rail/Tube |
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