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参数资料
| 型号： | APT200GN60JDQ4 |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 283 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ISOTOP-4 PIN |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 524K |
| 代理商： | APT200GN60JDQ4 |
050-7611
Rev
B
3-2005
APT200GN60JDQ4
TJ =125°C
VR=400V
50A
100A
200A
Duty cycle = 0.5
TJ =175°C
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
175
1
10
100 200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
Q
rr,
REVERSE
RECOVERY
CHARGE
I F
,FORWARD
CURRENT
(nC)
(A)
I RRM
,REVERSE
RECOVERY
CURRENT
t rr
,REVERSE
RECOVERY
TIME
(A)
(ns)
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
200
400
600
800
1000
1200
0
200
400
600
800
1000 1200
0
200
400
600
800
1000 1200
T
J = -55°C
T
J = 25°C
T
J = 125°C
T
J = 175°C
TJ =125°C
VR=400V
100A
50A
200A
300
250
200
150
100
50
0
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
TJ =125°C
VR=400V
200A
100A
50A
300
250
200
150
100
50
0
60
50
40
30
20
10
0
C
J,
JUNCTION
CAPACITANCE
K
f,DYNAMIC
PARAMETERS
(pF)
(Normalized
to
1000A/
s)
I F(AV)
(A)
Q
rr
t
rr
Q
rr
I
RRM
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
t
rr
V
F, ANODE-TO-CATHODE VOLTAGE (V)
-di
F /dt, CURRENT RATE OF CHANGE(A/s)
Figure 25. Forward Current vs. Forward Voltage
Figure 26. Reverse Recovery Time vs. Current Rate of Change
-di
F /dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/s)
-di
F /dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/s)
Figure 27. Reverse Recovery Charge vs. Current Rate of Change
Figure 28. Reverse Recovery Current vs. Current Rate of Change
T
J, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Case Temperature (°C)
Figure 29. Dynamic Parameters vs. Junction Temperature
Figure 30. Maximum Average Forward Current vs. CaseTemperature
V
R, REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 31. Junction Capacitance vs. Reverse Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT200GN60J | 250 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT20GF120BRD | 32 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT20GF120SRD | 32 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT20GF120SRDQ1G | 36 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT20GF120BRDQ1G | 36 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT200GN60JDQ4G | 功能描述:IGBT 600V 283A 682W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
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| APT200GT60JR | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - NPT MED FREQUENCY - SING - Rail/Tube |
| APT200GT60JRDL | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - RESONANT MODE - COMBI - Rail/Tube |
| APT200GT60JRDQ4 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - NPT MED FREQUENCY COMBI - Rail/Tube |
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