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参数资料
| 型号： | APT22M100JCU3 |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 22 A, 1000 V, 0.48 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4 |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 109K |
| 代理商： | APT22M100JCU3 |
APT22M100JCU3
APT
22M
100JCU3
–
Rev
0
September
,2009
www.microsemi.com
3- 5
SOT-227 (ISOTOP
) Package Outline
31.5 (1.240)
31.7 (1.248)
Dimensions in Millimeters and (Inches)
7.8 (.307)
8.2 (.322)
30.1 (1.185)
30.3 (1.193)
38.0 (1.496)
38.2 (1.504)
14.9 (.587)
15.1 (.594)
11.8 (.463)
12.2 (.480)
8.9 (.350)
9.6 (.378)
Hex Nut M4
(4 places)
0.75 (.030)
0.85 (.033)
12.6 (.496)
12.8 (.504)
25.2 (0.992)
25.4 (1.000)
1.95 (.077)
2.14 (.084)
*
r = 4.0 (.157)
(2 places)
4.0 (.157)
4.2 (.165)
(2 places)
W=4.1 (.161)
W=4.3 (.169)
H=4.8 (.187)
H=4.9 (.193)
(4 places)
3.3 (.129)
3.6 (.143)
Emitter terminals are shorted
internally. Current handling
capability is equal for either
Emitter terminal.
Typical Mosfet Performance Curve
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single P ulse
0
0.1
0.2
0.3
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
T
h
er
m
a
lI
m
p
e
d
a
n
ce
(°
C
/W
)
Maxim um Effective Transient Therm al Im pedance, Junction to Case vs Pulse Duration
Source
Gate
Drain
Anode
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT25GT120BRDL | 54 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT26M100JCU2 | 26 A, 1000 V, 0.396 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT3010BNR | 35 A, 300 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
| APT30M85BNR | 40 A, 300 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
| APT30GF60JU2 | 58 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| APT23F60S | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 600V 23A D3PAK |
| APT24F50B | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 24A TO-247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS 8™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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| APT24F50S | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 500V 24A D3PAK |
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