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参数资料
| 型号： | APT22M100JCU3 |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 22 A, 1000 V, 0.48 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4 |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 109K |
| 代理商： | APT22M100JCU3 |
APTGL700U120D4G
A
P
TGL700U120D
4G
–
Re
v
1
Ju
ly,
201
0
www.microsemi.com
5- 5
Hard
switching
ZCS
ZVS
0
30
60
90
120
150
0
150
300
450
600
750
900
IC (A)
Fm
ax
,Opera
ting
Frequency
(
k
H
z
)
VCE=600V
D=50%
RG=1.8
TJ=150°C
Tc=75°C
Operating Frequency vs Collector Current
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
D = 0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.12
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration in Seconds
Thermal
I
m
p
e
dance
(
°C
/W
)
Diode
Forward Characteristic of diode
TJ=25°C
TJ=150°C
0
300
600
900
1200
00.4
0.8
1.2
1.622.4
VF (V)
I F
(A)
Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
Microsemi's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522 5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103
5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262
and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT25GT120BRDL | 54 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT26M100JCU2 | 26 A, 1000 V, 0.396 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT3010BNR | 35 A, 300 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
| APT30M85BNR | 40 A, 300 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
| APT30GF60JU2 | 58 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT23F60B | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 23A TO-247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS 8™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| APT23F60S | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 600V 23A D3PAK |
| APT24F50B | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 24A TO-247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS 8™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| APT24F50B_09 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel FREDFET |
| APT24F50S | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 500V 24A D3PAK |
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