- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录36709 > APT25GF120JCU2 (MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP) 45 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT PDF资料下载
参数资料
| 型号： | APT25GF120JCU2 |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 45 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4 |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 213K |
| 代理商： | APT25GF120JCU2 |
APT25GF120JCU2
APT
25GF120JCU2
–
Rev
0
Septem
ber
,2009
www.microsemi.com
4- 6
Output characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
10
20
30
40
50
60
01
23
45
67
Ic
,C
o
llect
or
C
u
rr
ent
(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Output Characteristics (VGE=10V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
4
8
12
16
20
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
Ic
,C
o
llect
or
C
u
rr
ent
(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Transfer Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
10
20
30
40
50
60
0
2.5
5
7.5
10
12.5
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
Ic,
C
o
ll
ec
to
r
C
u
rre
nt
(
A
)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Gate Charge
VCE=240V
VCE=600V
VCE=960V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
30
60
90
120
150
180
Gate Charge (nC)
V
GE
,G
a
te
to
E
m
itter
V
o
lt
age
(V
)
IC = 25A
TJ = 25°C
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
25
50
75
100
125
TJ, Junction Temperature (°C)
C
o
ll
ec
to
rto
E
m
itte
rBreak
d
o
wn
V
o
ltage
(N
or
m
a
li
z
e
d
)
Breakdown Voltage vs Junction Temp.
0
10
20
30
40
50
25
50
75
100
125
150
TC, Case Temperature (°C)
Ic
,D
C
o
ll
e
c
to
rC
u
rr
e
n
t(
A
)
DC Collector Current vs Case Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT25GN120B2DQ2G | 67 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT25GN120B2DQ2 | 67 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT25GN120B2DQ2 | 67 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT25GN120B | 67 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT25GN120BG | 67 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT25GLQ120JCU2 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SILICON CARBIDE/SILICON HYBRID MODULES |
| APT25GN120B | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:IGBT |
| APT25GN120B2DQ2 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:IGBT |
| APT25GN120B2DQ2G | 功能描述:IGBT 1200V 67A 272W TMAX RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| APT25GN120BG | 功能描述:IGBT 1200V 67A 272W TO247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。