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参数资料
| 型号： | APT25GP90BDF1 |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 72 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| 封装： | TO-247, 3 PIN |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 210K |
| 代理商： | APT25GP90BDF1 |
050-7478
Rev
C
7-2004
APT25GP90BDF1
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
Characteristic / Test Conditions
Maximum Average Forward Current (T
C = 86°C, Duty Cycle = 0.5)
RMS Forward Current (Square wave, 50% duty)
Non-Repetitive Forward Surge Current (T
J = 45°C, 8.3ms)
Symbol
I
F(AV)
I
F(RMS)
I
FSM
Symbol
V
F
Characteristic / Test Conditions
I
F = 25A
Forward Voltage
I
F = 50A
I
F = 25A, TJ = 125°C
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
UNIT
Amps
UNIT
Volts
MIN
TYP
MAX
3.6
4.6
2.7
APT25GP90BDF1
15
21
80
DYNAMICCHARACTERISTICS
MAXIMUM RATINGS
All Ratings: TC = 25°C unless otherwise specified.
ULTRAFAST SOFT RECOVERY ANTI-PARALLEL DIODE
Z θ
JC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
RECTANGULARPULSEDURATION(seconds)
FIGURE 25a.MAXIMUMEFFECTIVETRANSIENTTHERMALIMPEDANCE,JUNCTION-TO-CASEvs.PULSEDURATION
1.20
1.00
0.80
0.60
0.40
0.20
0
Note:
Duty Factor D = t1/t2
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
t1
t2
P
DM
0.5
SINGLE PULSE
0.1
0.3
0.7
0.9
0.05
FIGURE 25b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
0.676
°C/W
0.504
°C/W
0.00147 J/
°C
0.0440 J/
°C
Power
(watts)
RC MODEL
Junction
temp(
°C)
Case temperature(
°C)
MIN
TYP
MAX
-
33
-65
-60
-2-
-
260
-
600
-5-
-
110
-
900
-15
UNIT
ns
nC
Amps
ns
nC
Amps
ns
nC
Amps
Characteristic
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
Symbol
t
rr
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
Test Conditions
I
F = 15A, diF/dt = -200A/s
V
R = 667V, TC = 25°C
I
F = 15A, diF/dt = -200A/s
V
R = 667V, TC = 125°C
I
F = 15A, diF/dt = -1000A/s
V
R = 667V, TC = 125°C
I
F = 1A, diF/dt = -100A/s, VR = 30V, TJ = 25°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT25GP90BDQ1 | 72 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| APT25GP90BDQ1 | 72 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| APT25GP90BDQ1G | 72 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| APT25GP90BDQ1G | 72 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| APT3010BNFR | 35 A, 300 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT25GP90BDQ1 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
| APT25GP90BDQ1G | 功能描述:IGBT 900V 72A 417W TO247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:POWER MOS 7® 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
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| APT25GR120B | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APT25GR120BD15 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:IGBT 1200V 75A 521W TO247 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
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