参数资料
型号: APT25GP90BDF1
元件分类: IGBT 晶体管
英文描述: 72 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封装: TO-247, 3 PIN
文件页数: 8/9页
文件大小: 210K
代理商: APT25GP90BDF1
050-7478
Rev
C
7-2004
APT25GP90BDF1
trr
Qrr
trr
IRRM
Q
rr
,REVERSE
RECOVERY
CHARGE
I F
,FORWARD
CURRENT
(nC)
(A
)
I RRM
,REVERSE
RECOVERY
CURRENT
t rr
,REVERSE
RECOVERY
TIME
(A
)
(ns)
TJ = -55°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 150°C
VF,ANODE-TO-CATHODEVOLTAGE(V)
-diF/dt, CURRENT RATE OF CHANGE(A/s)
Figure 2. Forward Current vs. Forward Voltage
Figure 3. Reverse Recovery Time vs. Current Rate of Change
-diF/dt,CURRENTRATEOFCHANGE(A/s)
-diF /dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/s)
Figure 4. Reverse Recovery Charge vs. Current Rate of Change
Figure 5. Reverse Recovery Current vs. Current Rate of Change
Duty cycle = 0.5
TJ = 150°C
25
20
15
10
5
0
C
J,
JUNCTION
CAPACITANCE
K
f,DYNAMIC
PARAMETERS
(pF)
(Normalized
to
1000A/
s)
I F(AV)
(A)
TJ,JUNCTIONTEMPERATURE(°C)
Case Temperature (°C)
Figure 6. Dynamic Parameters vs. Junction Temperature
Figure 7. Maximum Average Forward Current vs. CaseTemperature
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 8. Junction Capacitance vs. Reverse Voltage
0
1
2
3
4
5
6
0
200
400
600
800
1000
1200
0
200
400
600
800
1000
1200
0
200
400
600
800
1000
1200
350
300
250
200
150
100
50
0
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
1
10
100 200
60
50
40
30
20
10
0
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
80
70
60
50
40
30
20
10
0
TJ = 125°C
VR = 667V
7.5A
15A
30A
TJ = 125°C
VR = 667V
15A
30A
7.5A
TJ = 125°C
VR = 667V
15A
7.5A
30A
Qrr
相关PDF资料
PDF描述
APT25GP90BDQ1 72 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
APT25GP90BDQ1 72 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
APT25GP90BDQ1G 72 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
APT25GP90BDQ1G 72 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
APT3010BNFR 35 A, 300 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
相关代理商/技术参数
参数描述
APT25GP90BDQ1 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT
APT25GP90BDQ1G 功能描述:IGBT 900V 72A 417W TO247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:POWER MOS 7® 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
APT25GP90BG 功能描述:IGBT 900V 72A 417W TO247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:POWER MOS 7® 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
APT25GR120B 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
APT25GR120BD15 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:IGBT 1200V 75A 521W TO247 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR